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By Boylestad

Esta décima edición otorga un acercamiento a los sistemas encapsulados y pone énfasis en l. a. solución de fallas lo que es muy útil para una completa comprensión de situaciones reales.Además, se incluyen aplicaciones prácticas y extensos conjuntos de problemas y ejemplos actualizados para reforzar los conceptos básicos. Estas características hacen que esta obra sea perfect para un curso de nivel enhanced sobre dispositivos y circuitos activos.

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ID = 2 mA (bajo nivel) b. ID = 20 mA (alto nivel) c. VD = - 10 V (polarizado en inversa) Silicio FIG. 3. Solución: a. 5 V = 250 æ = ID 2 mA b. 8 V = 40 æ = ID 20 mA NIVELES DE RESISTENCIA c. Con VD ϭ Ϫ10 V, ID ϭ ϪIS ϭ Ϫ1 mA (en la curva) y RD = 23 VD 10 V = = 10 Mæ ID 1 mA lo que confirma con claridad algunos de los comentarios anteriores con respecto a los niveles de resistencia de cd de un diodo. 3 que la resistencia de cd de un diodo es independiente de la forma de las características en la región alrededor del punto de interés.

En otras palabras: Por lo común, la corriente de saturación en inversa real de un diodo comercial será medible a un valor mayor que la que aparece como la corriente de saturación en inversa en la ecuación de Shockley. Es importante tener en cuenta, sin embargo, que incluso si la corriente de saturación en inversa es 1000 veces mayor, si Is ϭ 10 pA la corriente de saturación en inversa se incrementará a sólo 10 nA, lo que aún puede ser ignorado en la mayoría de las aplicaciones. Otra factor que tiene un marcado efecto en la magnitud de la corriente de saturación en inversa es el área de contacto en la unión: Hay una correspondencia directa entre el área de contacto en la unión y el nivel de corriente de saturación en inversa.

23 Determinación de la resistencia de cd de un diodo en un punto de operación particular. Los niveles de resistencia de cd en la rodilla y debajo de ella son mayores que los niveles de resistencia obtenidos para la sección de levantamiento vertical de las características. Los niveles de resistencia en la región de polarización en inversa son por naturaleza bastante altos. Como los óhmetros en general emplean una fuente de corriente relativamente constante, la resistencia determinada será un nivel de corriente preestablecido (por lo general de algunos miliamperes).

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